데일리연합 (SNSJTV. 아이타임즈M) 류승우 기자 | 삼성전자의 핵심 D램 반도체 기술이 중국으로 유출되어 수조 원대 피해가 발생한 사건이 수사로 드러났다.

기술 유출에 가담한 전 삼성전자 상무와 SK하이닉스 임원이 구속되었으며, 이들은 중국 정부의 지원을 받아 현지 공장을 설립해 빠르게 반도체 복제품 생산에 성공했다. 유출된 기술의 경제적 피해는 약 4조 3천억 원에 달할 것으로 추정되며, 국가 핵심 기술 보호에 대한 경각심이 높아지고 있다.

삼성전자 핵심 기술 중국에 유출… 전 임원 구속 송치
서울경찰청 산업기술안보수사대는 삼성전자 20나노급 D램 메모리 반도체 생산에 필요한 핵심 공정을 중국으로 유출한 전 삼성전자 상무 최모(66) 씨와 전 수석연구원 오모(60) 씨를 부정경쟁방지법 위반 혐의로 구속 송치했다.

이들은 삼성전자의 기술 개발에 필수적인 온도, 압력 등 600여 단계에 이르는 공정 정보를 중국의 반도체 제조업체에 전달해 빠른 기술 복제가 가능하도록 지원했다. 특히, 이번 사건은 국내 반도체 기술의 핵심을 외국에 넘긴 점에서 심각한 국가적 피해를 초래했다는 평가를 받고 있다.

국내 인재 영입해 중국 공장 설립… 기술 유출 수법 밝혀져
최씨는 삼성전자와 SK하이닉스에서 고위 임원을 지낸 뒤 싱가포르에서 반도체 컨설팅 회사를 설립했다. 이후 2020년 중국 청두시 정부와 손잡고 '청두가오전 하이테크놀로지(CHJS)'라는 반도체 제조업체를 설립했다.

최씨는 중국 정부로부터 약 4,600억 원의 자금을 지원받았으며, 그는 인적 네트워크를 활용해 국내 반도체 전문 인재들을 대거 영입했다. 그중에는 삼성전자 D램 수석연구원 출신 오씨도 포함되어 있었고, 이들은 20나노급 D램 기술을 기반으로 빠르게 반도체 복제를 추진했다. 이들 일당은 기술 유출을 통해 단 1년 만에 웨이퍼 시제품을 제작하는 데 성공했다.

국가 핵심 기술, 수조 원대 피해 발생… 중대한 경고음
삼성전자는 20나노급 D램 공정 기술 개발에만 약 2조 원을 투자했으며, SK하이닉스 역시 막대한 비용을 들여 해당 기술을 개발해왔다.

유출된 기술의 총 경제적 피해는 약 4조 3천억 원에 이르는 것으로 추정되며, 이번 사건은 단순한 기술 유출을 넘어 국가 산업 전반에 심각한 타격을 입힐 수 있는 사건으로 평가된다. 특히 중국 업체는 해당 기술을 이용해 2022년 4월 시범 웨이퍼 생산에 성공하며 상용화 단계에 접근했다.

다행히 경찰 수사로 인해 양산화는 중단되었으나, 이미 유출된 기술이 다른 업체에서 사용될 가능성은 배제할 수 없어 추가적인 경제적 피해가 우려된다.

책임 경영 필요성 대두… 기업 보호 대책 강화해야
이번 사건을 계기로 국내 대기업들이 기술 유출에 대한 경각심을 높이고, 내부 통제 시스템을 강화해야 한다는 목소리가 커지고 있다. 전문가들은 기술 보호뿐만 아니라 임직원의 법규 준수와 투명한 경영이 필수적이라고 강조한다.

특히 반도체와 같은 첨단 산업에서 기술 유출은 기업의 경쟁력을 약화시킬 뿐만 아니라 국가 경제에도 큰 손실을 초래하기 때문에, 삼성전자를 포함한 국내 기업들이 지속 가능한 성장을 위해 준법 경영과 내부 통제 강화에 더욱 힘써야 한다는 지적이 나온다.