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국제

한국, 칩 연구 개발 지지를 강화, 중국 기업 굴기에 대응

한국 삼성전자회사

7월 20일 한국 한련사(韩联社)보도에 따르면 백운규 한국 공업부 장관은 일전 한국 정부가 대형 연구 개발 프로젝트에 대한 지지도를 강화하여 첨단 메모리 칩 개발로 중국 경쟁 적수의 굴기를 대응할 것이라고 표시했다.

최근 2년래 드램(DRAM)가격이 높은 노래를 부르며 힘차게 달려가면서 근 30년래 최대 성장폭을 창조했는데 이번 가격 상승 고조중 삼성전자, SK하이닉스(SK hynix ), 마이크론(Micron)등 3대 거물들이 돈을 많이 벌었다. 

칩은 한국 최대 수출상품이고 중국은 글로벌 최대 칩 시장이다. 2016년이래 중국이 연거푸 우한(武汉), 난징(南京), 청두(成都) 등 도시들에 반도체 제조 기지를 투자 건설하고 있는데 투입한 자금이 이미 700억 달러에 달했다. 중국의 이 행동이 한국 정부와 기업들로 하여금 우려를 하게 한 동시에 업계가 한국 칩 산업에 대한 전망도 옅어졌다. 

한국 본토 칩 메이커들은 중국 정부의 조치가 가능하게 예기에 비해 더 빨라 한국과의 기술 차이를 축소할 것이라고 우려하고 있다. 그 때가 되면 만일 대량 생산이 신중한 통제를 받지 못할 경우 글로벌 칩 가격 폭락을 초래할 수 있다. 

“중국이 현재 바로 자기의 반도세 산업 발전을 강화하면서 한국과의 격차를 축소하고 있다. 이 조치는 글로벌 공급 과잉을 초래할 수 있다. 칩 가격 성장속도가 최근들어 완화되고 있으며 가격 주기가 현재 바로 최고봉에 접근할 것이 우려된다. “고 백운규가 말했다. “정부는 차세대 메모리 칩 생산 대형 프로젝트 지지를 검토하고 올해 후반 초보적 가능성 연구를 진행할 계획이다.”

비록 중국 정부가 본국 반도체 산업 현상태 개변에 대해 결심을 내렸지만 중국 기업들이 기술차원에서 세계 선진수준과 아직 비교적 큰 격차를 가지고 있다. 삼성은 이미 제5세대 96층 3D V-NAND플래시 메모리 과립의 대량생산을 시작했다. 그러나 중국 창쟝 메모리(长江存储)의 32층NAND는 아직도 시험생산 단계이고 품질도 그다지 만족스럽지 못하다. 

그외 삼성은 또 2019년안에 150억 달러 투입으로 플래시 메모리 생산량을 증가할 계획으로서 가격전쟁 준비를 해놨다. 이런 상황에서 중국의 반도체 기업들은 정부의 보조와 지지만으로 삼성과 장기간 경쟁을 진행하기가 힘들수 있다.  


  北京时间7月20日韩联社报道,韩国工业部长白云揆(Paik Ungyu) 日前表示,韩国政府将加大对大型研发项目的支持,以开发尖端内存芯片,应对中国竞争对手的崛起。

  近两年来,DRAM价格一路高歌猛进,创下近30年来最大涨幅,而在这场涨价潮中三星电子、SK海力士、美光三大巨头赚得盆满钵满。

  芯片目前是韩国最大的出口产品,而中国是全球最大的芯片市场。2016年以来,中国相继在武汉,南京、成都等城市投资建设半导体制造基地,投入资金达到700亿美元之巨。这让韩国政府和企业感到忧虑,同时业界对韩国芯片行业前景开始看淡。

  韩国本土芯片制造商担心,中国政府的举措可能会以比预期更快地速度缩小与韩国的技术差距。届时,如果产量得不到谨慎控制,将导致全球芯片价格暴跌。

  “中国正加紧发展自己的半导体产业,缩小与韩国的差距,这还可能导致全球供应过剩,内存芯片价格的增速最近有所放缓,令人担心超级周期正接近顶峰。” 白云揆(Paik Ungyu) 说道:“政府正在考虑支持设计及生产下一代存储芯片的大型项目,并计划在今年下半年进行初步可行性研究,”

  虽然中国政府决心要改变本国半导体产业的现状,但中国企业在技术层面与世界先进水平还有较大差距。三星已经开始量产第五代96层3D V-NAND闪存颗粒,而长江存储的32层NAND还在试产阶段,良率也不尽人意。

  另外,三星计划在2019年内投入150亿美元增加闪存产量,做好了打价格战的准备。在这种情况下,中国的半导体企业仅靠政府的补贴和支持将难以与三星进行长期的抗争。

新华网  



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