네스지오나, 이스라엘, 2025년 12월 10일 /PRNewswire/ -- 전기 모빌리티용 질화갈륨(GaN) 전력 반도체 분야를 선도하는 비지크 테크놀로지스(VisIC Technologies Ltd.)는 10일 2600만 달러 규모의 라운드 B 펀딩 2차 마감을 성공적으로 완료했다고 밝혔다. 글로벌 반도체 선도 기업이 주도한 이번 라운드에는 HKMC가 전략적 투자자로 참여했다. 이번 성과는 전기차(EV) 트랙션 인버터용 GaN 혁신의 최전선에 있는 비지크의 입지를 강화하고 차세대 전기 모빌리티 활성화에 이바지하는 역할을 더 강화한다.

핵심 반도체 기술 발전에 집중하는 주관 투자사의 전략은 자동차 구동계에 타의 추종을 불허하는 효율성, 확장성 및 신뢰성을 제공하도록 설계된 비지크의 독점 기술인 D³GaN(TM) 플랫폼을 보완한다. HKMC의 참여는 GaN 기술을 양산형 EV 플랫폼에 통합하겠다는 의지를 보여준다.

글로벌 EV 시장은 자동차 제조업체들이 주행 거리 향상, 비용 절감, 더 엄격한 지속 가능성 목표 달성을 위해 경쟁하면서 빠르게 성장하고 있다. 가장 큰 난관은 차량 성능과 에너지 소비에 직접적 영향을 미치는 전력 전자 장치, 특히 트랙션 인버터의 효율성과 확장성에 있다.

문제 상황

기존 실리콘 기반 솔루션은 차세대 EV 플랫폼, 특히 고전압에서 요구되는 효율성과 전력 밀도를 제공하는 데 어려움을 겪고 있다. 탄화규소(SiC) 소자는 향상된 성능을 제공하지만, 높은 비용과 복잡한 제조 공정이 보급 확대의 걸림돌이다. 비지크의 GaN 기반 D³GaN(TM) 기술은 더 작고, 가볍고, 더 효율적인 인버터를 가능하게 해 이런 한계를 극복하고 400V 및 800V 아키텍처 모두에 새로운 가능성을 열어준다.

자금 활용  

신규 투자금은 다음을 포함한 비지크의 로드맵을 가속한다.

• Gen3 750V GaN 다이(dice) 및 전력 모듈의 최적화, 인증 및 출시.
• 전체 EV 설계 스펙트럼을 지원하는 Gen4 1350V GaN 기술 개발.
• 공급망 안정화 및 EV 트랙션 인버터용 GaN 제품 공급 확대.
• 동일한 고급 GaN 플랫폼을 활용해 신규 800V 데이터 센터 전력 요구 사항으로 확장.

경영진 코멘트

타마라 박슈트(Tamara Baksht) 비지크 테크놀로지스 CEO:

"이번 투자는 비지크와 글로벌 EV 산업에 중요한 이정표다. 우리의 D³GaN 기술은 전기차용 전력 전자 장치를 재정의하고 있으며, 전략적 파트너들의 지원은 차세대 모빌리티를 위한 고효율, 확장 가능한 솔루션을 제공하려는 우리의 사명 실현을 앞당길 것이다."

현대자동차 및 기아:

"현대자동차와 기아는 지속 가능한 모빌리티를 발전시키는 데 전념하고 있다. 비지크와의 파트너십을 통해 우리는 최첨단 GaN 전력 기술을 EV 플랫폼에 통합해 전기 운송의 미래를 만들어가는 과정에서 효율성, 신뢰성 및 성능을 향상할 수 있게 됐다."

문의:

디터 리사베스(Dieter Liesabeths)
dieter@visic-tech.com

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