DGIST 연구팀, 극한 환경에도 작동 '차세대 반도체 메모리' 개발
데일리연합(월간, 한국뉴스신문) 김재욱 기자 | DGIST 전기전자컴퓨터공학과 권혁준 교수팀(제1저자 장봉호 박사과정생)은 저온에서도 고품질의 산화막 제작과 효과적인 패터닝이 동시에 가능한 신규 제조 기술을 개발하고 이를 이용한 비휘발성 저항 변화 메모리를 구현했다고 25일 밝혔다. 기존 제작 기술의 단점을 극복하고, 우수한 내구성을 갖춘 메모리를 개발함으로써 차세대 컴퓨팅 시스템에 활용될 수 있을 것으로 기대된다. 최근 인공지능‧빅데이터‧IoT 장치와 같은 데이터 집약적 컴퓨팅 시스템의 발전에 따라 우수한 내구성, 빠른 동작 속도, 낮은 전력 소모를 필요로 하는 새로운 차세대 비휘발성 메모리의 수요가 급증하고 있다. 메모리의 종류 중 하나인 '저항 변화 메모리'는 전류를 통해 메모리의 정보를 바꾸는 방식을 사용한다. 한편, 저항 변화 메모리를 개발하는 방법으로 주목받고 있는 '액상 공정 기술'은 큰 면적에 저렴하게 제작할 수 있다는 장점이 있지만, 높은 온도에서만 작동할뿐더러 균일한 패턴을 형성하기 어렵다는 단점이 있다. 권혁준 교수팀은 이러한 단점을 극복하기 위해 액상 공정에 '연소 합성 기술'을 결합했다. 연소 합성 기술은 발열 반응을 이용해 연소 과정
- 김재욱 기자 기자
- 2024-01-25 16:55